【专利解密】承芯半导体助力进一步提高半导体射频研发能力

【嘉勤点评】承芯半导纤的光纤后端实用新型，通过使电阻层造成了的纤电磁波在点状面上部处造成了点状入射，可以提高入射到电容层上较厚的纤电磁波，从而提高了寄生虫增益。

集微网通告，昨日，湖州承芯半导纤香港）有限Corporation无限期完成超10亿元A轮贷款，本轮贷款将用于二期生产成本重整，与此同时，Corporation还在努力进行三代半导纤技术库存，预见将持续整建新产品，提升海除此以外三代半导纤光纤开发其设计并能。

增益器中的在电阻条之间抵消电压，除了激发横向于电容层传递的声较厚波除此以外，还才会造成了纤电磁波，沿垂直于电容层的路径传递，纤电磁波在电容层和举例来说的接触面发生较比赛规则的入射，入射的纤电磁波传回第二斜向较厚造成了寄生虫增益。陡坡段的入射系数经常出现陡坡才会升高SAW增益器频率响应区域的插入损耗。

为此，承芯半导纤于2021年9月8日登记了一项来由“声较厚波增益电子装置、滤波电子装置及光纤后端电子装置”的实用新型权（登记号: 202111054657.2），登记人为湖州承芯半导纤香港）有限Corporation。

图1 SAW增益电子装置200的剖面A形态示例

图1为本发明中的SAW增益电子装置200的剖面A形态示例，有数举例来说210，举例来说层下方有入射微粒层230以及电容层250，电容层有数第一斜向251及与第一斜向相对的第二斜向253，举例来说坐落第一斜向，入射微粒层比方说坐落第一斜向，比如说电容层。增益电子装置还有数电阻层270，坐落电容层250上第二斜向，电阻层在入射微粒层下方。其中的，入射微粒层有数顶部231及斜向部233，顶部斜向部都有数点状面上部。

在电阻层上抵消电压将造成了纤电磁波，纤电磁波沿垂直于电容层的路径传递至顶部或斜向部的点状面上部处造成了点状入射，提高了入射返回第二斜向较厚的纤电磁波，从而提高了寄生虫增益。

举例来说的材料有数硅、碳化硅、二降解硅、砷化镓、碳化镓、翡翠、尖晶石、陶瓷、高分子。入射微粒层的微粒有数真空、空气。电容层的材料有数碳化铝、降解铝合金、碳化镓、钾、钽硫铋、铌硫铋、镱钛硫水银、铌钾硫水银—钛硫水银。

其中的入射微粒层的约下方，即低水平路径上的下方，为电容层，入射微粒层的除此以外斜向为举例来说，入射微粒层的上斜向为电容层，即，入射微粒层2的垂直路径上的下方计有举例来说和电容层。电阻层有数叉指换能电子装置(IDT)，完全一致入射微粒层，IDT有数多个第一电阻条和多个第二电阻条，它们的溶剂不同，交错放到。斜向部的粗糙度远大于顶部的粗糙度，用于进一步提高入射的点状总纤。顶部231的点状面上部的轮廓算平均偏差远大于1纳米。

图2 SAW增益器入射系数(S11)弧线示例

图2为SAW增益器入射系数(S11)弧线的示例，参见图中的的入射系数弧线190，其陡坡段191完全一致提高了的寄生虫增益，对比陡坡段171和陡坡段191，可见提高寄生虫增益可以提高陡坡段的振幅，从而提高SAW增益电子装置频率响应区域的插入损耗。

简而言之，承芯半导纤的光纤后端实用新型，通过使电阻层造成了的纤电磁波在点状面上部处造成了点状入射，可以提高入射到电容层上较厚的纤电磁波，从而提高了寄生虫增益。

承芯半导纤拥有成熟的光纤产品代工工艺，以及值得注意的TC-SAW/BAW滤波器其设计和制做并能。Corporation致力于其发展中的国华南地区光纤后端技术技术创新，便是5G光纤后端技术和的业务模式创造性。

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